«В этой работе мы показали возможность управления электронными свойствами отдельной углеродной нанотрубки», — сказал профессор Дмитрий Гольдберг, руководитель группы ученых из МИСиС.

Ученые создали крошечный транзистор, одновременно воздействовав на углеродную нанотрубку нагрузкой и низким напряжением, которое разогрело этот многослойный материал. В результате внешние оболочки трубки отделились, оставив только один слой. Кроме того, тепло и нагрузка изменили хиральность нанотрубки, то есть форму соединения атомов углерода, сообщает Phys.org.

В результате появилась новая структура, соединяющая атомы углерода и выполняющая функции транзистора. Таким образом, ученые продемонстрировали фундаментальную возможность создания крошечных транзисторов, приблизив появление технологии изготовления микропроцессоров без кремния.

Индустрия производства процессоров десятилетиями совершенствует технологию производства транзисторов все меньшего и меньшего размера, но ее сдерживают ограничения кремния. В недавнее время исследователи значительно продвинулись в разработке нанотранзисторов, миллион которых может уместиться на головке булавки.

«Данное открытие, хоть и не имеет практического значения для массового производства крошечных транзисторов, показывает новый принцип изготовления и открывает новые горизонты использования термомеханической обработки нанотрубок для получения миниатюрных транзисторов с заданными характеристиками», — пояснил профессор Гольдберг.

Год назад, в ходе экспериментов с деформацией английские ученые получили графеновый транзистор. Он открывает новые перспективы миниатюризации электроники — микрочип с такими транзисторами был бы в 100 раз меньше обычного.