Обычно диоды для квантовых лазеров изготавливаются методом молекулярно-лучевой эпитаксии, но этот способ недостаточно эффективен ввиду низкой скорости роста, и не подходит для массового производства. Ученые из Исследовательского института электроники и телекоммуникации предложили попробовать другой метод — химического осаждения металлорганических соединений из газообразной фазы, который отличается менее высокими требованиями к условиям производства.

Кроме того, раньше в устройствах оптической связи применялись дорогие подложки из фосфида индия. Новая технология позволяет перейти на арсенид галлия, стоимость которого втрое ниже, сообщает EurekAlert.

Диоды из арсенида галлия-индия на подложке из арсенида галлия, созданные новым методом, обладают высокой плотностью и однородностью. Созданный на их основе опытный лазер продемонстрировал возможность непрерывной работы при температуре до 75 градусах Цельсия. Это лучший результат для химического осаждения МОС из газообразной фазы.

Снижение расходов на производство и материалы позволяет выпускать полупроводниковые лазеры на квантовых точках в шесть раз дешевле, чем прежде. Разработчики намерены продолжить оптимизировать технологию, чтобы улучшить надежность и сделать более привлекательной для местных телекоммуникационных компаний.

Южнокорейские ученые разработали гибкий фотоэлемент на квантовых точках из черного перовскита со слоем транспорта электронов из оксида олова, изготовленным низкотемпературным методом. И зарегистрировали рекорд эффективности преобразования солнечной энергии для гибких элементов на квантовых точках — 12,7%.