Hitech logo

Идеи

Разработан революционный вертикальный электрохимический транзистор

TODO:
Георгий Голованов22 января 2023 г., 11:28

Междисциплинарная команда ученых из разных стран разработала транзистор для легкой, гибкой и высокопроизводительной электроники. Он совместим с водой и кровью, способен усиливать сигналы организма. Изобретатели предлагают использовать его для измерения жизненных показателей, например, уровня калия и натрия в крови или движение глаз у людей с расстройствами сна.

Самые интересные технологические и научные новости выходят в нашем телеграм-канале Хайтек+. Подпишитесь, чтобы быть в курсе.

«Вся современная электроника основана на транзисторах, которые в высоком темпе включают и выключают ток, — сказал Тобин Маркс, соавтор исследования из Северо-Западного университета. — Мы использовали химию, чтобы усилить это переключение. Наш электрохимический транзистор поднимает производительность на совершенно иной уровень. У него есть все свойства современного транзистора, но намного выше крутизна передаточной характеристики, сверхстабильное циклирование свойств переключения, небольшая опорная поверхность, допускающая высокую плотность интеграции, и простой и дешевый метод производства».

Электрохимический транзистор основан на новом типе электропроводящего полимера и на вертикальной, а не плоской архитектуре. Он проводит и электричество, и ионы, и стабилен в воздухе. Разработка такого сложного устройства потребовала привлечения ученых из разных областей знаний: материаловедов, химиков, инженеров-биомедиков, пишет EurekAlert.

Для создания мощной и надежной электронной схемы необходимы два типа транзистора, с дырочной и электронной проводимостью. Исследование ученых впервые продемонстрировало равно высокую производительность электрохимических транзисторов обоих типов в комплементарной схеме.

«Новый тип транзистора позволяет нам говорить на языке как биологических систем, которые часто общаются через ионные сигналы, и электронных систем, которые общаются через электроны», — сказал Джонатан Ривней, один из участников проекта.

Габариты транзистора во многом зависят от размеров затвора, базового элемента цифровой схемы. Ранее ученым уже удавалось снизить длину затвора до одного нанометра. Команда специалистов из Китая пошла дальше и установила в прошлом году новый рекорд, который будет трудно побить — 0,34 нм.