Для создания накопителя с рекордной плотностью команда физиков из Альбертского университета (Канада) применила технологию, которую ранее использовала при создании микросхем на атомарном уровне. Хайтек+ писал об этом. В матрице для хранения данных сканирующий зондовый микроскоп позволил быстро удалять и заменять отдельные атомы водорода, то есть имитировать повторную запись данных.
Исследование проходило под руководством профессора физики Альбертского университета Роберта Уолкоу, который стоял у истоков разработки производственных технологий в атомных масштабах. Именно Уолкоу усовершенствовал методику, которая позволила точечно воздействовать на атомы на кремниевом чипе.
Ученые и раньше экспериментировали с накопителями на атомарном уровне, однако такие устройства работали стабильно только при экстремально низких, криогенных температурах. Как пишет Science Daily, революционный характер работы ученых из Альберты в том, что созданная ими память работает при обычных температурных условиях.
Чтобы продемонстрировать плотность нового накопителя, ученые зашифровали на нем алфавит. Плотность записи данных достигла 138 терабайт на один квадратный дюйм.
Если бы ученые применили аналоговые методы и попытались записать данные вручную на зернышке риса, то на нем пришлось бы разместить 350 тысяч букв.
Новый метод нанофабрикации накопителей, который получил название автоматизированной водородной литографии, описали в журнале Nature Communications.
Физики признают, что еще несколько лет назад о подобной технологии даже подумать было сложно.
«Фактически вы можете взять все 45 млн песен, доступных в iTunes, и записать их на накопитель размером с монету в 25 центов. Пять лет назад никто бы и не подумал, что это возможно», — заметил руководитель исследования Рошан Ахаль.
Хотя технология находится на ранней стадии развития, ее уже можно применять для архивирования данных. На следующем этапе команда планирует найти новые сценарии применения технологии, а также увеличить скорость считывания и записи данных.
В июле Toshiba запустила производство флеш-памяти рекордного объема. Экспериментальные чипы компании обеспечивают емкость 166 ГБ. Обычный флеш-накопитель содержит в среднем 16 чипов, а значит, разработка Toshiba позволит выпускать SSD емкостью 2,66 ТБ.
