Оксид галлия относится к классу полупроводников со сверхширокой запрещенной зоной (около 4.8–4.9 эВ), что дает ему серьезные преимущества перед кремнием, карбидом кремния и нитридом галлия. Устройства на его основе способны выдерживать более высокие напряжения и температуры, что делает этот материал привлекательным кандидатом для силовой электроники нового поколения. Однако, диаметр большинства представленных на рынке пластин из оксида галлия сегодня составляет от 2 до 4 дюймов, что затрудняет запуск крупномасштабного производства.

Garen Semiconductor утверждает, что им удалось решить эту проблему благодаря сочетанию запатентованного метода выращивания монокристаллов из расплава и оптимизированного процесса эпитаксии методом химического осаждения из газовой фазы с использованием металлоорганических соединений. Технология выращивания кристаллов позволяет получать сверхтолстые кристаллы оксида галлия, а выход сверхтонких подложек увеличивается в три-четыре раза по сравнению с традиционными методами, пишет IE.

К тому же, снижается расход иридия — дорогого и редкого металла, необходимого для выращивания кристаллов, что позволяет сократить себестоимость каждой пластины более чем на 80%.

По данным квалификационных испытаний, толщина эпитаксиального слоя 6-дюймовых пластин составляет более 10 мкм с отклонением по толщине менее 1%. Такая однородность важна для производства высоковольтных и высокочастотных устройств с высокой процентной долей выхода годных изделий.

Компания уже заключила несколько долгосрочных соглашений с китайскими производителями чипов. Вдобавок, интерес к ее продукции проявляют зарубежные предприятия и исследовательские центры.

На днях IBM представила экспериментальный чип с транзисторами размером 0,7 нм на основе архитектуры NanoStack. Транзисторы размещаются вертикально друг над другом, что позволяет уместить почти 100 млрд элементов на площади с ноготь — вдвое больше, чем у современных 2-нм решений.