Переход к 1 нм считается одной из самых сложных задач в микроэлектронике. Речь идет не просто о масштабировании существующих решений, а о необходимости внедрения новой архитектуры транзисторов, поскольку традиционные подходы начинают достигать физических пределов.

Ключевым элементом будущего техпроцесса станет технология Fork Sheet. Этот подход предполагает использование непроводящего барьера между транзисторами, что улучшает изоляцию и устраняет неэффективно используемое пространство внутри чипа.

Этот подход отличается от используемой сегодня технологии GAA (Gate-All-Around), которая применяется в 2-нм процессах Samsung. Хотя GAA уже обеспечивает высокую энергоэффективность за счет полного охвата канала затвором, дальнейшее уменьшение размеров требует более радикальных решений, и именно здесь Fork Sheet рассматривается как следующий этап эволюции.

По аналогии, предложенной разработчиками, новая архитектура напоминает застройку плотного городского квартала: если раньше между «зданиями» оставалось свободное пространство, то теперь оно используется для размещения дополнительных элементов. Это позволяет повысить плотность транзисторов и потенциально увеличить производительность чипов.

Дорожная карта Samsung по переходу на 1-нм техпроцесс опирается на успехи в освоении 2-нм узла. К концу марта выход годных кристаллов на 2-нм GAA-процессе превысил 60% — это более чем в три раза выше показателя второй половины 2025 года (около 20%). При этом текущие 2-нм решения компании сталкиваются с проблемами энергоэффективности. Согласно тестам, чипы Exynos 2600 страдают от скачков напряжения и уступают конкурентам по времени автономной работы.

Ранее компания уже переносила сроки внедрения 1,4-нм технологии. На этом фоне успех 1-нм узла будет зависеть от способности Samsung устранить текущие технические ограничения и довести до зрелости промежуточные.