Система использует передовую технологию фотолитографии в глубоком ультрафиолете. Излучение проецируется через маску на поверхность пластины, покрытой светочувствительными химикатами. Под действием света химикаты затвердевают по заданному рисунку, после чего пластина подвергается химическому травлению. Процесс повторяется для создания всех электрических компонентов чипа, включая транзисторы и соединяющую их сверхтонкую проводку.

Предыдущие поколения литографических систем использовали глубокий ультрафиолет с длиной волны 193 нм — минимальную длину волны, которую можно фокусировать традиционными линзами. EUV-литография с более короткой длиной волны позволяет преодолеть этот барьер, пишет Nature.

Ключевое новшество ASML — оптика с более высокой числовой апертурой, что позволяет собирать свет под большим диапазоном углов при помощи огромных, почти идеальных зеркал. Отсюда лучшее разрешение и контраст, а значит — производители микросхем смогут разместить на той же площади больше транзисторов. Стоимость одной установки — около 400 миллионов долларов США.

ASML уже поставила около десяти таких устройств заказчикам, включая компании Intel и SK hynix. По словам Маартена Вонкена, главы отдела исследовательской метрологии ASML, благодаря буму искусственного интеллекта спрос на чипы и необходимость масштабирования «грандиозный». Более мощные чипы с увеличенным количеством транзисторов позволят центрам обработки данных выполнять больше вычислений без увеличения энергопотребления.

В китайской лаборатории в обстановке повышенной секретности был собран прототип установки EUV-литографии. Как выяснило в декабре издание Reuters, машину построила команда бывших инженеров голландской ASML.