Чип содержит рекордное количество слоев — 294, что является самым высоким показателем среди текущих коммерческих продуктов. При этом количество активных слоев в 3D NAND 5-го поколения, вероятно, будет таким же, как и в предыдущем поколении (232), хотя общее количество затворов выросло с 253 до 294. Это может улучшить выход годных изделий или добавить новые функции.
Как и предыдущие модели, новое устройство 3D NAND использует технологию послойного соединения (string stacking). Однако точная конфигурация остается неизвестной. Возможно, Yangtze Memory применила два массива по ~147 затворов или несколько с меньшим числом слоев. В любом случае, достижение 294 слоев (включая активные и вспомогательные) стало важным этапом как для YMTC, так и для всей индустрии флэш-памяти.
Хотя 232 активных слоя — это не рекорд для 3D NAND, показатель сравним с конкурентами. Пока только 321-слойная 3D NAND девятого поколения от SK hynix превышает планку в 300 активных слоев. Однако ее поставки начнутся лишь в первой половине этого года.
С точки зрения плотности хранения данных, 5-е поколение 3D TLC NAND от YMTC превышает 20 Гбит/мм². Это сопоставимо с показателями 3D TLC NAND 9-го поколения от SK hynix и лишь немного уступает 22,9 Гбит/мм², которые демонстрирует BiCS8 3D QLC NAND от Kioxia/Western Digital.
При разработке устройства Yangtze Memory использовала технологию гибридного соединения. Это позволило объединить массив флэш-памяти с CMOS-логикой и интерфейсом для максимальной плотности хранения и высокой производительности ввода-вывода. Микросхемы построены на архитектуре Xtacking 4.0.
Компания предпочла не афишировать выход чипа, тихо начав поставки. Вероятно, такая осторожность связана с опасениями по поводу новых санкций со стороны США.
