Мемристор — тип энергонезависимого полупроводника, который сохраняет внутреннее сопротивление продолжительное время после прекращения воздействия электрического поля. Эта перспективная технология может, в ряде случаев, прийти на смену обычным тразисторам. Мемристор, созданный специалистами института KAIST, управляет изменениями сопротивления, позволяя обходиться без сложных систем самообучения. В своем исследовании ученые продемонстрировали экономический потенциал нейроморфных систем следующего поколения в области обучения и исправления ошибок в реальном времени, пишет IE.
Платформы на основе мемристоров могут лечь в основу компактных и энергоэффективных граничных вычислительных систем благодаря своей способности выполнять параллельные вычисления в аналоговой области. К примеру, при обработке видеопотоков они могут автоматически отделять движущиеся объекты от фона и со временем повышать свою производительность.
Однако, системы на основе мемристоров с трудом справляются с алгоритмами обучения на устройстве в режиме реального времени из-за ряда трудностей. Новые технологии надеются решить эти проблемы и снизить зависимость устройств от облачных серверов. В результате они станут быстрее, безопаснее и экономичнее.
Созданные учеными мемристоры из оксида титана с постепенным распределением кислорода показали высокую надежность, линейность, самокалибровку и самокоррекцию. Производительность нового чипа достигла точности, сопоставимой с идеальными результатами компьютерного моделирования обработки изображений в реальном времени.
Система, по словам разработчиков, работает «как умное рабочее пространство, в котором все легко доступно, и нет необходимости постоянно перемещаться между рабочим столом и картотекой». В этом она похожа на синапсы в нейронной сети биологического мозга.
Новый метод эпитаксиального выращивания одномерных металлических материалов диаметром менее 1 нм предложили специалисты из Южной Кореи. И применили этот процесс к разработке структуры для двухмерных полевых транзисторов, создав электрод затвора шириной 0,4 нм для работы с транзисторным каналом шириной 3,9 нм.
