Оборудование было поставлено Техасскому институту электроники (TIE) — консорциуму, поддерживаемому Техасским университетом в Остине. В него входят такие тяжеловесы полупроводниковой отрасли, как Intel, NXP и Samsung, а также многочисленные правительственные агентства и академические институты.

Традиционное производство полупроводников основано на методе фотолитографии (DUV или EUV). В этом процессе фоточувствительная полимерная пленка (фоторезист) освещается через фотошаблон с нужным узором, после чего экспонированные участки удаляются с помощью травления. Система нанопечатной литографии Canon использует другой подход. Вместо проецирования света она физически штампует схемы на смолу с помощью пресс-формы. Этот метод позволяет создавать наноструктуры размером менее 10 нм на больших площадях, что невозможно для других типов литографии.

Одно из преимуществ технологии — возможность снижения производственных затрат и потребления энергии. В отличие от традиционной фотолитографии, требующей сложных систем линз и зеркал, машины Canon отличаются более простой конструкцией и потребляют в десять раз меньше энергии.

Нанопечатная литография отлично подходит для формирования сложных трёхмерных схем с помощью одного штампа — задача, которая была бы сложной, если не невозможной, для фотолитографии. Это крайне полезно, поскольку производители чипов стремятся встраивать всё более мелкие и сложные схемы в свои изделия.

Но у технологии есть и проблемы, например, загрязнение поверхности штампов мельчайшими частицами пыли, приводящее к дефектам готовых изделий.

Поставка установки консорциуму TIE сигнализирует о грядущих кардинальных изменениях в производстве микросхем. Крупные игроки отрасли показали готовность к потенциальному внедрению нанопечатной литографии в свои процессы. Как отметил заместитель генерального директора Canon по оптическим продуктам Казунори Ивамото, компания планирует продавать от 10 до 20 таких установок ежегодно в течение ближайших 3-5 лет.