Hitech logo

Идеи

Новый материал приближает создание универсальной компьютерной памяти

TODO:
Георгий Голованов23 января, 10:56

От современных компьютеров требуется обрабатывать все большие объемы данных, и как можно быстрее. Для этого необходимы более быстрые и эффективные запоминающие устройства. Исследователи из Стэнфорда (США) нашли новый материал для памяти на основе фазовых переходов. Предложенные устройства отличаются стабильностью, долгим сроком службы, низким потреблением энергии, а их серийный выпуск не потребует существенного переоснащения производственных линий.

Самые интересные технологические и научные новости выходят в нашем телеграм-канале Хайтек+. Подпишитесь, чтобы быть в курсе.

«Мы не просто улучшаем один из показателей, например, долговечность или скорость; мы улучшаем несколько показателей одновременно, — сказал профессор Эрик Поуп, один из исследователей. — Это самое реалистичное, пригодное для промышленности из того, что мы создали в этой сфере. Мне нравится думать об этом как о шаге к универсальной памяти».

Современные компьютеры хранят и обрабатывают данные в разных местах. Энергозависимая память — быстрая, но исчезающая при выключении компьютера — обслуживает обработку данных, а энергонезависимая берет на себя долгосрочное хранение данных. Перенос информации между этими типами памяти отнимает время и энергию.

Универсальная память, сочетающая достоинства долгосрочного хранения и быстрой обработки, пока остается недоступной, пишет Stanford News. Однако ученые из команды Поупа сделали шаг навстречу ей. Их разработка основана на сплаве GST467, состоящем из германия, сурьмы и теллурия. Исследователи нашли способ разместить сплав между несколькими нанослоями других материалов в сверхрешетке. Это придало структуре отличную стабильность, возможность переключения при низкой энергии (менее 1 вольта), долговечность и энергонезависимость — она может сохранять состояние на протяжении как минимум десяти лет.

«Есть другие типы энергонезависимой памяти, которые работают немного быстрее, но они требуют большего напряжения или мощности, — сказал Поуп. — Для всех этих компьютерных технологий необходим компромисс между скоростью и энергией. То, что мы переключаемся за несколько десятков наносекунд, расходуя менее одного вольта, это большое достижение».

Вдобавок, сверхрешетка вмещает в небольшой объем достаточно много ячеек памяти, уменьшенных до 40 нм в диаметре. Плотность получилась не слишком высокая, но исследователи изучают варианты ее повышения наращиванием количества слоев.

Некоторые твердые материалы помнят о том, что их недавно растягивали, и это влияет на их реакцию на подобные деформации в будущем. Американские ученые провели исследование механизмов формирования памяти в пенах и эмульсиях и открыли новые методы воздействия на эти воспоминания. Это позволит создавать пищевые и фармакологические продукты с новыми свойствами.