Президент Samsung и генеральный менеджер контрактного производства микросхем бизнес-подразделения Device Solutions Сиёнг Чой во время выступления в Корейском институте науки и технологий рассказал, что TSMC намного опережает Samsung в области производства чипов. Он считает, что Samsung потребуется пять лет, чтобы догнать и превзойти TSMC, несмотря на то, что обе фирмы производят 3-нанометровые полупроводники.

Хотя маркетинговое название этих технологий может быть похожим, они совершенно разные по дизайну, поскольку Samsung использует более новые технологии GAA для изготовления транзисторов, в то время как TSMC полагается на проверенную модель FinFET.

Использование GAA имеет решающее значение, поскольку 4-нанометровая технология Samsung отстает от TSMC на два года, а 3-нанометровая технология отстает на год, считает Чой. По его словам, ситуация изменится, когда TSMC перейдет на 2-нанометровый техпроцесс. TSMC планирует использовать транзисторы GAA, начиная с 2-нанометрового узла, и у Samsung на тот момент уже будет опыт производства чипов с использованием 3-нанометровой технологии. Это даст компании шанс вырваться вперед за счет стабильности производства.

Опыт, который Samsung получит, производя чипы через GAA, позволит ей через пять лет обогнать TSMC, поскольку тайваньская компания столкнется с трудностями при переходе на новую технологию, полагает Чой. TSMC нацелена запустить производство чипов, изготовленные с использованием передовых технологий, к 2025 году, у Samsung аналогичные сроки.

Исполнительный директор Samsung не только с оптимизмом смотрит на новые технологии производства чипов своей фирмы, но и считает, что подразделение микросхем Samsung окажется важнее в гонке искусственного интеллекта, чем графические процессоры NVIDIA.