Технология Intel 20A будет основана на транзисторах с круговым затвором RibonFET и обходной подачей энергии. Одновременное уменьшение шага металлизации, внедрение новой структуры транзисторов и добавление обходной схемы подачи энергии — довольно рискованный шаг, на который компания пошла, чтобы обогнать своих конкурентов: TSMC и Samsung. Intel планирует начать использовать этот узел для серийного производства чипов в первой половине 2024.

Техпроцесс 18A позволит усовершенствовать технологии RibonFET и PowerVia, а также уменьшить размер транзисторов. Разработка этого узла идет настолько хорошо, что Intel перенесла его презентацию с 2025 года на вторую половину 2024-го. Изначально компания планировала использовать для узла 1,8 нм сканеры Twinscale EXE с оптикой с числовой апертурой 0,55, но из-за спешки ей придется довольствоваться сканерами с оптикой 0,33, пишет Tom’s Hardware.

Intel надеется, что когда 1,8-нм техпроцесс достигнет промышленных объемов производства, он станет самым передовым в индустрии. Это должно произойти во второй половине следующего года.

Помимо собственных нужд чипы, созданные по новым технологиям, будут изготавливаться компанией для сторонних клиентов. Этим занимается подразделение Intel Foundry Services. По словам Пэта Гельсингера, гендиректора Intel, семь крупных заказчиков проявляют большой интерес к этим разработкам, число потенциальных клиентов и партнеров достигает 43. Вдобавок, Intel уже показала документацию для проектирования процессов PDK 0.5 ведущим заказчикам и надеется подготовить окончательный релиз в ближайшие несколько недель.

Ранее Гелсингер заявлял, что Intel планирует выйти на сборку чипов, включающих триллион транзисторов (это в 10 раз больше, чем сегодня в самых передовых решениях), к концу этого десятилетия. С помощью таких микросхем Intel хочет перейти к новой эпохе вычислительных возможностей, что обеспечит резкий скачок в производительности как в потребительской, так и в промышленной электронике.