Нанометрами измеряют в компьютерной индустрии размер транзисторов. Чем меньше число, тем современнее поколение, выше производительность и меньше потребление энергии микрочипа. IBM смогла уместить 50 млрд транзисторов на чипе площадью 150 кв. мм — это на 20 млрд больше, чем в 2017 году, когда компания анонсировала 5-нм прорыв. Это значит, что плотность транзисторов составляет 333 млн на кв. мм, сообщает AnandTech.
Мобильные устройства на базе 2-нм техпроцесса смогут работать на том же аккумуляторе в четыре раза дольше, чем современные, изготовленные по технологии 7 нм. Следовательно, заряжать их придется примерно раз в четыре дня. Ноутбуки станут еще быстрее, а робомобили смогут быстрее замечать и реагировать на дорожные препятствия, обещает производитель.
Новая технология поможет также снизить расходы на электроэнергию дата-центрам, обсерваториям, лабораториям ИИ и квантовых вычислений.
IBM удалось совершить этот прорыв раньше конкурентов. Процессоры Apple M1 и A14 появились вместе с Huawei Kirin 9000 прошлой осенью как первые чипы на 5-нм технологии TSMC. Другие производители — AMD и Qualcomm — пользуются 7-нм техпроцессом TSCM, хотя Snapdragon 888 делают по 5-нм техпроцессу Samsung. TSMC и Samsung работают над 3-нм техпроцессом и их первые промышленные партии ожидаются не ранее конца следующего года. Что касается Intel, то компания едва ли выпустит 7-нм процессор раньше 2023 — сейчас она использует чипы на 10 и 14 нм, пишет Engadget.
Неизвестно, когда 2-нм процессоры появятся в потребительских устройствах. Анонс новой технологии и начало производства чипов в промышленных масштабах — задачи разные и одинаково сложные. Но несмотря на то, что от первых ноутбуков и смартфонов с 2-нм процессорами нас, скорее всего, отделяет еще несколько лет, приятно сознавать, что более мощные процессоры уже на подходе.
В марте инженеры Samsung Electronics представили первый рабочий образец 3-нм процессора, изготовленного с помощью запатентованных транзисторов MBCFET. Передовой техпроцесс был реализован на примере микросхемы SRAM — статической памяти с произвольным доступом.
