Последние несколько лет Samsung регулярно делилась информацией о перспективах 3-нм техпроцесса. Представители компании говорили о масштабном строительстве производственных линий, возможностях гаджетов и мощностях будущих систем. При этом реальные показатели новой технологии до этого момента оставались под вопросом — Samsung отказывалась демонстрировать свои прототипы. Но сейчас все изменилось — работоспособность чипа, созданного по техпроцессу 3 нанометра, на основе MBCFET (multi-bridge channel FET), подтверждена на практике и теперь может быть реализована в потребительских устройствах.

Как сообщает Tom’s Hardware, технология GAAFET делится на две категории: классические транзисторы GAAFET, известные как нанопроволока, и MBCFET, называемые нанолистами. На первый вариант планируют перейти практически все полупроводниковые компании, включая лидера рынка — тайваньскую TSMC. В то же время Samsung решила пойти по другому пути и самостоятельно разработала концепцию транзисторов MBCFET для 3 нанометров.

MBCFET предлагает несколько преимуществ перед GAAFET — система не требует использовать новое оборудование и отличается большей гибкостью, поскольку может быть быстро настроена и скомпонована под разные задачи. И если раньше такой подход не был проверен и мог оказаться провалом для Samsung, то сейчас инженеры компании смогли подтвердить его эффективность.

По словам представителей Samsung Foundry, в сравнении с 7-нм техпроцессом новое решение гарантирует аналогичную производительность при экономии энергии до 50%, повысит производительность на 30% при сохранении энергопотребления и увеличит плотность транзисторов на 80%. Последний фактор играет наиболее важную роль — Samsung сможет собрать больший объем памяти и логических компонентов на более компактном кристалле.

Согласно информации Bloomberg, Samsung уже утвердила старт производства 3-нм чипов — ключевые клиенты компании получат первые партии микросхем до конца следующего года.