Logo
Cover

Южнокорейская компания завершила разработку 5-нм техпроцесса FinFET. В скором времени процессоры, произведенные по технологии фотолитографии в глубоком ультрафиолете (EUV), начнут отгружать клиентам.

По сравнению с 7-нм технологией новый процесс с использованием EUV обеспечивает увеличение эффективности логической зоны до 25% при снижении потребления энергии на 20% или 10-процентный рост производительности в результате улучшений архитектуры стандартного элемента, пишет Business Wire.

Другое ключевое преимущество 5 нм в том, что технология позволяет использовать все схемы, созданные для 7-нм процесса. Поэтому переход с 7 нм будет не таким затратным и сложным, как это обычно бывает.

Компания планирует начать коммерциализацию нового техпроцесса в следующем году. А в этом году обещает начать массовое производство микрочипов по технологии 6 нм.

Особенность фотолитографии в глубоком ультрафиолете в том, что она использует меньшую длину волны — 13,5 нм, в отличие от эксимерного лазера, работающего в диапазоне 193 или 248 нм. Это позволяет повысить энергию фотонов и создавать более компактные микрочипы.

В октябре прошлого года Samsung объявила о готовности 7-нм технологического процесса, первого из своих функциональных узлов с технологией литографии EUV. Компания показала коммерческие образцы и начала массовое производство продукции в начале 2019.  

В начале года AMD представила первую в мире видеокарту с размером структур 7 нм. При тех же затратах энергии быстрее предыдущего поколения на 25%.