Новый чип создан с теми же размерами, что и у предыдущей модели Samsung объемом 512 ГБ. Скорость чтения блока памяти до 1000 мегабайт в секунду. В Samsung говорят, что это в 10 раз больше, чем у обычной карты microSD и вдвое больше, чем обеспечивает стандартный 2,5-дюймовый твердотельный накопитель (SSD) с интерфейсом SATA.
«Мы ожидаем, что чип сыграет решающую роль в том, чтобы пользователи будущих устройств по функциональности больше ощущали их как ноутбуки», — комментирует вице-президент по продажам и маркетингу подразделения памяти Samsung Чеол Чой.
Также чипы позволят осуществлять высокоскоростную непрерывную съемку со скоростью 960 кадров в секунду, сообщается в блоге компании. Происходит это за счет того, что произвольная запись выполняется в 500 раз быстрее (50 000 IOPS), чем позволяют даже высокопроизводительные карты microSD.
Чипы eUFS от Samsung быстро эволюционировали: за четыре года объем их памяти вырос со 128 ГБ до 1 ТБ.
Компания уже в прошлом году продвигала Galaxy Note 9 как терабайтное устройство, но с оговорками. Внутренней памяти там было 512 ГБ, то есть терабайт нужно было добирать покупкой дополнительной флешки на еще на 512 ГБ.
Ходят слухи, что уже линейка S10 получит версию на 1 ТБ. Также флагманская модель получит 12 ГБ оперативной памяти.
Осенью Samsung показала новую версию чипсета Exynos — 9820. Его будут устанавливать на флагманские модели марки, так что, скорее всего, он составит компанию новому блоку памяти. Чипсет производят по 8-нм техпроцессу FinFET. На одной микросхеме размещен специализированный процессор для обработки ИИ-алгоритмов, два высокопроизводительных ядра ARM Cortex-A75 и четыре энергоэффективных Cortex-A55.
До этого Samsung добилась другого прорыва в производстве микроэлектроники. Компания начала производство микропроцессоров по технологии EUV — фотолитографии в глубоком ультрафиолете. Ученые пытались применить ее на протяжении 30 лет, теперь она приблизила южнокорейского производителя к 3-нм техпроцессу.
