Производители микрочипов в основном работают с литографическим оборудованием ASML или Nikon с эксимерным лазером на флюориде аргона, который испускает глубокий ультрафиолетовый свет в диапазоне 193 нм. Для повышения разрешения применяется технология иммерсионной литографии, однако, этот процесс происходит в несколько сложных циклов. Внедрение нового типа — фотолитографии в глубоком ультрафиолете (EUV) — позволит упростить весь процесс.

Во-первых, EUV, которая использует плазму в качестве источника экстремального ультрафиолетового света с длиной волны 13,5 нм, дает возможность существенно уменьшить размеры транзисторов — на 40% по сравнению с нынешним 10-нм техпроцессом, который используется для производства Qualcomm Snapdragon 845 и Samsung Exynos 9810. Во-вторых, повышается точность печати — на 70% по сравнению с современным иммерсионным сканером 193 нм.

Но важнее всего, как пишет ZDNet, что EUV сокращает производственные циклы и, как следствие, расходы. С его помощью контакты и некоторые другие металлические слои можно изготавливать за один этап.

Новая технология производства транзисторов обеспечит повышение производительности на 20 — 30% при снижении расходов энергии на 30 — 50%. Это больше, чем давали результаты испытаний, представленных Samsung в прошлом году в Киото.

Первый запуск технологии в производство должен начаться в этом году, примерно год уйдет на отладку всех процессов, поэтому вряд ли мы увидим 7-нм чипы в процессорах смартфона Samsung Galaxy S10, выход которого назначен на весну 2019 года.

В мае Intel представила чип семейства Cannon Lake, созданного по 10-нм техпроцессу, выход которого задерживался из-за сложностей с производством. Увидеть его в действии уже можно, например, в ноутбуке Lenovo Ideapad 330.