В основе фотоэлемента типа HIBC (гибридного гребенчатого элемента с контактами на задней части устройства) лежит комбинация туннельных контактов с пассивацией, диэлектрических пассивирующих слоев и контактов n- и p-типов. Элемент собран на высокоомной разрезанной пополам подложке M10 с пассивацией краев и оптимизированными контактами n-типа, созданными с использованием комбинированного высоко- и низкотемпературного процесса. Слой оксида индия-олова улучшает латеральный перенос носителей заряда, а многослойные покрытия из оксида алюминия и нитрида кремния снижают рекомбинацию на поверхности.

Исследователи также снизили легирование фосфором в поликремниевом слое n-типа, чтобы ограничить диффузию легирующей примеси в подложку. Пассивация краев осуществляется в процессе производства. Вдобавок, специалисты смогли предотвратить утечку между контактами n- и p-типа, а более толстый слой аморфного кремния улучшает покрытие узлов и пассивацию боковых стенок.

Для кристаллизации аморфного кремния и снижения контактного сопротивления используется импульсный зеленый наносекундный лазер.

Компания заявила в пресс-релизе, что благодаря этому и предыдущим технологическим прорывам уже заняла лидирующие позиции в массовом производстве. А также утверждает, что новый метод может быть масштабирован для производства гетеропереходных солнечных элементов, хотя для снижения потерь все еще требуются дальнейшие исследования.

Новый солнечный элемент из кремния и перовскита представили недавно ученые из Швейцарии. Он сочетает высокое напряжение, отличную эффективность и возможность масштабируемого производства.