Hitech logo

Кейсы

В Китае создали компактный EUV-источник для производства чипов

TODO:
Екатерина ШемякинскаяСегодня, 10:12 AM

Китайские исследователи разработали «настольный» источник экстремального ультрафиолетового излучения (EUV), пригодный для мелкосерийного производства чипов до 14 нм. Установка также подходит для ключевых задач микроэлектроники — проверки микросхем, создания экспериментальных квантовых устройств и обнаружения дефектов фотошаблонов. Хотя технология не способна заменить EUV-системы ASML, она открывает новые возможности для исследований, прототипирования и инспекции полупроводников.

Самые интересные технологические и научные новости выходят в нашем телеграм-канале Хайтек+. Подпишитесь, чтобы быть в курсе.

Машины ASML — это гигантские установки длиной в десятки метров, способные массово выпускать чипы по техпроцессам 3-7 нм. Они используют лазерную плазму (LPP), которая распыляет капли олова и требует огромных зеркал-коллекторов — компонентов, которые Китай пока не способен производить. Новая же китайская разработка генерирует EUV-излучение иначе: фемтосекундный лазер направляется в аргон, создавая свет через так называемую генерацию высоких гармоник (HHG). Благодаря этому системе не нужны ни капли олова, ни громоздкие зеркала.

Такая конструкция гораздо проще, компактнее и дешевле. Длина волны может настраиваться в диапазоне от 1 до 200 нм. При этом энергопотребление установки минимально — около 1 микроватта за импульс, что примерно в 200 млн раз ниже производственных EUV-мощностей ASML. Разумеется, это исключает массовое производство 14-нанометровых чипов, но подходит для единичных образцов и лабораторных задач.

Ключевое преимущество — высокая яркость на ограниченной площади, что делает систему пригодной для инспекции фотошаблонов, анализа транзисторных структур и экспонирования миниатюрных экспериментальных пластин. Новая китайская машина помещается на офисном столе и стоит лишь малую долю стоимости промышленной установки ASML.

Развитие технологии может помочь Китаю повысить качество производства чипов 14 и 28 нм, а также укрепить независимость страны в сфере полупроводникового оборудования.