Альтермагнетики сочетают привлекательные свойства ферромагнетиков и антиферромагнетиков. В потенциале он способны в тысячу раз увеличить скорость микроэлектронных компонентов и цифровой памяти. К тому же, они более надежные и энергоэффективные, пишет Science Daily.

«Альтермагнетики состоят из магнитных моментов, которые указывают на своих соседей антипараллельно. Однако, каждая часть кристалла, содержащая такие крошечные моменты, вращается относительно своих соседей. Это как антиферромагнетизм с поворотом! Но это тонкое отличие имеет огромные последствия», — заявил профессор Питер Уодли, руководитель научной группы.

Команда физиков из Университета Ноттингема провела новое экспериментальное исследование в ускорительном комплексе MAX IV в Швеции. Там расположен, в частности, синхротрон. Направив пучок рентгеновских лучей аппарата на магнитный материал, ученые впервые смогли, при помощи специального спектроскопа, рассмотреть его магнитные свойства разрешением до масштаба наночастиц.

Магнитные материалы широко применяются в вычислительной технике и микроэлектронике. Возможность заменить ключевые компоненты альермагнитными материалами может привести к огромному приросту скорости и эффективности, а также снизит зависимость от редких и токсичных тяжелых элементов, необходимых для современных ферромагнитных устройств.

В начале года ученые из Швейцарии и Чехии опубликовали результаты своего эксперимента, которые подтвердили то, о чем физики стали догадываться несколько лет назад — помимо ферромагнетизма и антиферромагнетизма существует и третья магнитная фаза. Материалы с такими свойствами могут открыть путь к появлению спинтронных устройств.