TSMC заявляет, что чипы, произведенные по технологии N3X, смогут снизить энергопотребление на 7% при той же частоте за счет снижения напряжения с 1,0 В до 0,9 В, увеличить производительность на 5% при той же площади или повысить плотность транзисторов на 10% при той же частоте. Ключевое преимущество N3X — это его максимальное напряжение 1,2 В, что важно для высокопроизводительных приложений, таких как графические процессоры и центры обработки данных.

Техпроцесс N2 станет первым узлом TSMC, использующим нанолистовые транзисторы с круговым затвором (GAA), что значительно улучшит его характеристики производительности, мощности и плотности. По сравнению с N3E, полупроводники, произведенные по технологии N2, смогут снизить энергопотребление на 25-30%, повысить производительность на 10-15% и увеличить плотность транзисторов на 15%.

Хотя N2 обещает быть лидером по энергоэффективности и плотности транзисторов, N3X также сможет конкурировать по производительности, особенно при высоких напряжениях. Для многих клиентов N3X будет более привлекательным вариантом благодаря использованию проверенных транзисторов FinFET, что делает N2 не единственным выбором во второй половине 2025 года.

В 2026 году TSMC планирует освоить техпроцессы N2P и A16. N2P предложит либо снижение энергопотребления на 5-10% при той же скорости и количестве транзисторов, либо увеличение производительности на 5-10% при той же мощности. Технология A16 (1,6-нм класс с обратной подачей питания) обеспечит до 20% меньшую мощность, до 10% более высокую производительность и на 10% большую плотность транзисторов по сравнению с N2P.

Благодаря улучшенной внутренней сети подачи питания, A16 станет предпочтительным выбором для разработчиков чипов, ориентированных на высокую производительность, несмотря на более высокие производственные затраты из-за дополнительных технологических этапов.