Более полувека назад Гордон Мур, один из основателей Intel, высказал предположение, что количество транзисторов на кристалле интегральной схемы будет увеличиваться каждые 24 месяца. Однако непреложные физические законы рано или поздно должны будут положить предел экспоненциальному росту. Уже сейчас этот процесс требует не двух, а трех лет. Генеральный директор компании Пэт Гелсингер представил обновленный «закон Мура 2.0», пишет Gizmo China.

«По-моему, мы объявляем о смерти закона Мура последние 30-40 лет», — сказал Гелсингер. Он признал, что «золотой век закона Мура уже позади, и сейчас стало намного труднее», поэтому темпы роста количества транзисторов упали, но не все еще потеряно. Концепция монтажа корпусов кристаллов в 2,5D и 3D позволит Intel увеличить число транзисторов на чипе. Гелсингер назвал ее «законом Мура 2.0».

Также он подтвердил, что в 2030 году Intel может создать чип с триллионов транзисторов. Необходимым условием является, в частности, транзисторы RibbonFET, запланированные на 2024 год. Инновационная архитектура чипа позволит снизить утечку тока и повысить ток возбуждения. К другим обязательным технологиям относятся PowerVIA, повышающая мощность и производительность, и функциональные узлы следующего поколения, которые снизят размер транзисторов.

Указал Гелсингер и на экономические изменения в отрасли. «Современная фабрика семь или восемь лет назад стоила бы около $10 млрд. Теперь она стоит около $20 млрд», — сказал он.

Samsung не собирается сдаваться без боя. Компания намерена ускорить освоение 2-нм техпроцесса, чтобы опередить TSMC и Intel и стать ключевым контрактным производителем чипов с применением самой передовой литографии.