TSMC делает большую ставку на 3-нм техпроцесс и новое предприятие. Завод станет крупнейшей фабрикой компании и займет около 35 квадратных километров в научном парке Южного Тайваня. В ходе церемонии открытия председатель TSMC Марк Лю также заявил, что площадь завода соответствует размеру 22 футбольных полей. Производитель уже нанял 15 тыс. технических сотрудников для обслуживания предприятия и планирует расширить штат до 20 тыс. человек в течение двух лет.
С технологической точки зрения производство изменится не сильно. В отличии от Samsung, которая стремится догнать TSMC на рынке полупроводников, тайваньская компания полагается на полевые транзисторы FinFET. Эта технология была проверена на существующих заводах, где производятся 5-нм чипы для Apple и Huawei.
Рисковое производство начнется с изготовления небольших партий 12-дюймовых пластин и со временем увеличится до выпуска 55 тыс. пластин в месяц. В 2023 году — через год после официального запуска предприятия — производственные мощности вырастут до 100 тыс. пластин. А долгосрочной перспективе завод будет ежемесячно производить по 600 тыс. пластин.
Процессоры, изготовленные по 3-нм техпроцессу, обеспечат прирост производительности в 1,25 — 1,35 раза по сравнению с 7-нм чипами. А потребление энергии снизится в 1,55 — 1,6 раз. При этом важно отметить, что данные TSMC основаны на сравнении «голых» транзисторов — в потребительских задачах производительность будет зависеть от конечного поставщика оборудования — Intel, AMD, Apple и других.
Согласно данным аналитиков из TrendForce, TSMC все еще контролирует большую часть рынка полупроводников, но вскоре все может измениться. Южнокорейская компания Samsung активно наращивает производственные мощности и собирается открыть свой завод для производства 3-нм чипов, как и TSMC, в 2022 году. Более того, в попытке обойти соперника, Samsung будет работать с малоизученной технологий кольцевого затвора (Gate-All-Around). Такая система заметно энергоэффективнее FinFET, но ее надежность еще не была протестирована в реальных условиях.
