Представители SK Hynix обещают вывести с DDR5 скорость обмена информацией на новый уровень. В качестве примера компания заявляет, что для переноса девяти фильмов весом около 5 Гб потребуется всего одна секунда, а рабочее напряжение составит 1,1 В, что снизит энергопотребление на 20% по сравнению с DDR4. Более того, внутри каждой планки будет установлена система исправления кода (EEC), которая сможет самостоятельно избавиться даже от однобитовых ошибок. Благодаря EEC надежность приложений вырастет в 20 раз, а максимальный объем модулей ОЗУ — до 256 Гб за счет новой технологии through-silicon-via.

Главным партнером SK Hynix, который участвовал в работе над стандартами DDR5, стала американская корпорация Intel. Последняя помогла в разработке спецификации DDR5, начиная с ранних концепций архитектуры, и работала с JEDEC, комитетом инженерной стандартизации полупроводниковой продукции при Electronic Industries Alliance.

«Кроме того, мы работали совместно с SK Hynix над микросхемами, разрабатывая и тестируя прототипы, чтобы убедиться в том, что DDR5 соответствует целям производительности и полностью готова для наших общих клиентов», — добавляет Кэролин Дюран, вице-президент Intel Data Platforms Group и гендиректор по технологиям памяти.

Что касается «общих клиентов» SK Hynix и Intel, то речь идет о многих производителях электроники, но в первую очередь о компаниях Synopsis, Renesys, Montage и Rambus, которые уже подписали соглашения на поставки модулей памяти нового поколения, сообщает The Verge.

По данным консалтинговой компании Omdia, спрос на модули DDR5 начнет расти в 2021 году, к 2022 году около 10% планок будет произведено по новой технологии, а к 2024 году их число увеличится до 43%.