В США создали основу идеальной памяти для IoT-устройств будущего
Logo
Cover

По прогнозам экспертов, к 2025 году на каждого человека будет приходиться по сотне подключенных устройств. Всем им нужна экономичная память для обработки информации — и ученые Университета Пердью нашли эффективное решение.

163

Американские исследователи изучили свойства материала под названием молибденовый дителлурид. Они создали из множества слоев этого двумерного материала ячейки памяти, которые можно в будущем использовать в чипах. Исследование опубликовано в Nature Materials.

IoT-устройства будущего предъявляют к памяти особые требования. Самая актуальная технология — энергонезависимая резистивная память с произвольным доступом (RRAM), считают ученые Университета Пердью.

Проблема в том, что из-за несовершенства материалов сделать такую память достаточно стабильной и экономичной не выходит.

RRAM-платы сохраняют данные как комбинацию нулей и единиц в виде разницы в сопротивлении при прохождении тока. Молибденовый дителлурид позволяет быстрее, а значит — без лишних энергозатрат переключаться между 0 и 1. «Поскольку для изменения резистивных состояний требуется меньше энергии, батарея будет работать дольше», — пояснил профессор Йорг Аппенцеллер.

Он собирается вместе с коллегами продолжить исследования материала и изучить его выносливость к перезаписи. В идеале чипы должны выдерживать триллионы циклов записи информации.

Ученые по всему миру ищут материалы для создания плат нового поколения. Например, в Ноттингемском университете (Великобритания) нашли способ 3D-печати «кристаллов памяти», которые меняют свое состояние под воздействием света.