Hitech logo

микроэлектроника

Intel разработала первый в мире 3D-чип — спасителя закона Мура

TODO:
Александр Носков13 декабря 2018 г., 09:07

Основатель Intel Гордон Мур сформулировал закон, по которому микроэлектроника развивалась десятки лет. Потом сам же предсказал затухание динамики. Но его компания берет новую высоту, представляя Foveros — технологию для создания трехмерных микросхем, которые продлят действие закона Мура.

Самые интересные технологические и научные новости выходят в нашем телеграм-канале Хайтек+. Подпишитесь, чтобы быть в курсе.

Законом Мура называют эмпирическое наблюдение, сделанное основателем Intel. Он заметил, что благодаря новым технологиям количество транзисторов, размещаемых на кристалле интегральной схемы, удваивается каждые два года. Эта динамика обусловила развитие электроники на десятилетия. Компактные смартфоны, мощные ПК и экзафлопсные суперкомпьютеры — все это воплощение закона Мура и усилий, которые прилагают разработчики, чтобы он сбывался в каждом новом поколении микросхем.

Однако в последнее время на пути закона встали физические ограничения — минимальные размеры транзисторов и скорость света.

В 2007 году сам Мур предсказал, что скоро закон перестанет работать из-за атомарной природы вещества.

Процессоры уже делают с применением 7-нм техпроцесса, и дальнейшие уменьшения не принесут былого эффекта. У Intel были проблемы даже с внедрением 10-нм техпроцесса, напоминает Engadget.

Возможный выход — проектировка и печать микросхем не на плоскости, а в 3D. Ранее такую архитектуру использовали лишь при компоновке памяти — например, в SSD-рекордсмене от Samsung или мощной видеокарте AMD R9 Fury X.

Теперь Intel утверждает, что готова технология для создания полноценных 3D-микросхем со всеми необходимыми элементами — Foveros.

И это не просто проект научной лаборатории. Первый «чиплет» по этой технологии будет представлен уже во второй половине 2019 года.

Полноценного анонса нового чиплета Intel пока не делает. Известно, что первый продукт по технологии Foveros — вычислительный элемент, собранный по 10-нм техпроцессу на подложке, которую обычно используют для устройств с низким энергопотреблением.

Компактность и бережное отношение к аккумуляторам — наиболее важные преимущества нового подхода. Не исключено, что Intel готовит конкурента для Snapdragon 8cx — 7-нм процессора для подключенных лаптопов hi-end уровня.