EUV и DUV — два типа литографии, используемые для формирования микроскопических элементов на кремниевых пластинах. EUV работает с излучением длиной волны 13,5 нм и применяется при производстве наиболее передовых чипов. DUV использует более длинные волны и считается менее современной литографической технологией. Единственным производителем промышленных EUV-установок остается нидерландская ASML. Китай не может закупать такие системы из-за экспортных ограничений США и Нидерландов, но располагает оборудованием DUV и пытается расширить его возможности для производства более современных микросхем.
Исследователи Китайской академии наук (КАН) сообщили о предварительной интеграции многослойных нанолистовых CMOS-транзисторов с архитектурой GAA, изготовленных с использованием DUV-литографии.
По словам Е Тяньчуня из Института микроэлектроники КАН, работа представляет собой ранний технологический путь к созданию устройств с размером менее 3 нм. Разработка позволяет сочетать архитектуру передовых транзисторов с литографическим оборудованием, доступным китайской промышленности.
GAA считается следующим этапом развития транзисторов после FinFET при переходе к более мелким технологическим нормам. В FinFET затвор окружает канал с трех сторон, тогда как в GAA он полностью охватывает канал, что обеспечивает более точный контроль над потоком тока и помогает уменьшать утечки при дальнейшем уменьшении размеров транзисторов. Архитектура уже используется ведущими производителями полупроводников: Samsung начала массовое производство 3-нм чипов с GAA, а TSMC перешла на эту архитектуру для своего 2-нм техпроцесса в 2025 году. В китайской разработке каналами GAA-транзисторов служат многослойные нанолисты.
При этом работа КАН пока не означает, что Китай получил возможность массово производить 3-нм или менее технологичные чипы с помощью DUV. Е Тяньчунь подчеркнул, что разработка находится на ранней стадии и требует дальнейшей проверки на уровне кремниевой пластины. Необходимо также подтвердить, что технологический процесс можно стабильно перенести на производственную линию с приемлемыми выходом годных чипов и характеристиками.
Китайская полупроводниковая отрасль параллельно развивает другие способы компенсировать ограничения доступа к передовому литографическому оборудованию.
В 2025 году исследователи Китайской академии наук разработали твердотельный лазер, способный генерировать когерентное излучение с длиной волны 193 нм, используемой в DUV-литографии. Компании и исследовательские центры также изучают новые материалы, архитектуры транзисторов и технологические процессы, которые позволяют повышать плотность элементов без прямого перехода на EUV.
Еще один подход в 2026 году представила Huawei — так называемый закон масштабирования Тау. Компания предложила проектировать чипы с учетом не только пространственного уменьшения компонентов, но и временных характеристик работы транзисторов. По заявлению Huawei, такой подход в перспективе может позволить достичь плотности транзисторов, сопоставимой с 1,4-нм техпроцессом, к 2031 году. Таким образом, китайские разработчики одновременно ищут альтернативы EUV на уровне литографии, архитектуры транзисторов и проектирования самих микросхем.
