Партнерство продолжает более чем десятилетнее сотрудничество, которое уже внесло вклад в развитие 7-нм техпроцесса, архитектуры нанолистовых транзисторов и технологии EUV-литографии. Lam Research участвовала в разработке первого в мире 2-нм чипа, представленного IBM.
Недавнее соглашение охватывает три ключевых направления: разработку новых материалов, передовые методы травления и осаждения для сложных 3D-архитектур устройств, а также создание процессов для нового поколения фотолитографии в глубоком ультрафиолете High-NA EUV, необходимой для межсоединений и формирования рисунка на таких масштабах.
Мукерш Кхаре из IBM Semiconductors подчеркнул в пресс-релизе, что Lam была критически важным партнером в прорывах по масштабированию логики и архитектуре устройств. Вахед Вахеди, технический директор Lam Research, отметил, что прогресс в эпоху 3D-масштабирования требует переосмысления того, как материалы, процессы и литография объединяются в единую систему высокой плотности.
Работы будут проводиться в исследовательских центрах IBM в Albany NanoTech Complex в Нью-Йорке. Команды используют технологическое оборудование Lam: сухой резист Aether, платформы травления Kiyo и Akara, системы осаждения Striker и ALTUS Halo для создания и валидации полных технологических маршрутов для нанолистовых и наностековых устройств, а также для подачи питания с обратной стороны пластины.
Конечная цель партнерства — надежный перенос рисунков High-NA EUV в реальные слои устройств с высоким выходом годных, что создаст реальные пути к промышленному производству для будущих логических узлов.
Исследовательская организация imec в январе опубликовала программу проектирования техпроцесса и транзисторов с размером менее 1 нм, которую собирается реализовать до 2036 года, а IBM углубляет связи с японской компанией Rapidus для массового производства чипов размером менее 1 нм. Сотрудничество с Lam Research делает центр IBM в Олбани центральным полигоном для испытаний материалов и литографических прорывов, необходимых для производства чипов следующего поколения.
Месяц назад главный переговорщик Тайваня по тарифам и вице-премьер Чэн Ли-цзюнь заявила, что перенести 40% тайваньских мощностей по производству полупроводников в США «невозможно». Так она ответила на заявления американских чиновников, которые настаивают на переносе производственных линий в Штаты.

