Imec планирует перейти на техпроцесс 2 нм к 2025 году, выйти на анстромный уровень (ангстрем (Å) равен 0,1 нанометра или 0,0000000001 метра) с техпроцессом A14 к 2027 году и достичь A2 к 2037 году. По словам Ван ден Хове, Imec меняет архитектуру транзисторов: с техпроцесса 2 нм произойдет переход с FinFET на нанолистовую архитектуру, а для техпроцесса A7 будет внедрена комплементарная FET (CFET) архитектура, что станет важным этапом в развитии полупроводников.

По данным Commercial Times, TSMC рассматривает возможность принятия High-NA EUV. Вице-президент по исследованиям и разработкам TSMC Мин Цао отметил, что производительность, энергоэффективность и плотность (PPA) у традиционных полевых транзисторов снижаются, поэтому TSMC не исключает разработку новых материалов и структур для поддержания роста. Каждое новое оборудование, в том числе High-NA EUV, оценивается компанией на зрелость, стоимость и сроки внедрения.

Мин Цао выразил оптимизм по поводу роста, связанного с искусственным интеллектом, подчеркивая, что сложность ИИ-моделей и потребность в вычислительной мощности будут стремительно расти. Он также отметил, что автомобильная промышленность в ближайшем будущем начнет использовать 3 нм и 5 нм чипы, что ускорит развитие автономного вождения. TSMC готова поддерживать эти изменения.

Ожидается, что использование High-NA EUV станет критически важным для будущих узлов, включая A14, поскольку эта технология позволяет преодолеть барьеры традиционной литографии. Внедрение High-NA EUV обеспечит необходимые условия для достижения новых уровней плотности и эффективности чипов, позволяя компаниям, таким как TSMC, поддерживать технологическое лидерство.

По прогнозам, мировой рынок полупроводников достигнет объема в $1 триллион к 2030 году. Это подчеркивает важность инвестиций в новые технологии и адаптацию к требованиям рынка, что станет ключевым фактором успеха для таких компаний, как TSMC и Imec, стремящихся осваивать самые передовые техпроцессы.