В новой технологии используется архитектура транзисторов с окружающим затвором, которую в Samsung называют Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET), сообщает ZD Net. Более широкие каналы для электричества в затворах снижают уровень напряжения по сравнению с предыдущей архитектурой транзисторов FinFET. Каналы окружены затворами со всех четырех сторон, что позволяет пропускать через затворы больше тока возбуждения, чем в FinFET.

По сравнению с 5-нанометровым техпроцессом, 3 нм сокращает расход энергии на 45% и повышает производительность на 23%. Площадь поверхности уменьшилась на 16%.

Также Samsung утверждает, что 3-нм процесс обеспечивает более гибкий дизайн, при котором возможно подгонять ширину канала под требования заказчика. Второе поколение 3-нм техпроцесса с повышенной энергоэффективностью, производительностью и площадью поверхности уже в работе, заявили в компании.

Основной конкурент Samsung, тайваньский производитель полупроводников TSMC тоже готовится начать выпуск 3-нм продукции во втором полугодии 2022-го. Samsung опередила TSMC буквально на один день в надежде урвать больше заказов от крупных клиентов вроде Qualcomm. Samsung не уточнила, для какого заказчика начала массовое производство 3-нм чипов.

По мнению бывшего главы Alphabet Эрика Шмидта, за последние несколько лет доступ к ресурсам производства процессоров превратился для США в вопрос национальной безопасности — теперь чипы определяют не только качество смартфонов и ноутбуков, но и устойчивость автопрома и многих других отраслей.